| ： | A5G21H605W19NR3 |
|---|---|
| ： | RF FET、MOSFET |
| ： | NXP Semiconductors |
| ： | RF MOSFET LDMOS |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | NXP Semiconductors |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | OM-780-4S4S |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.2GHz |
| 功率输出 | 85W |
| 获得 | 15.1dB |
| 技术 | GaN |
| 供应商设备包 | OM-780-4S4S |
| 额定电压 | 125 V |
| 电压 - 测试 | 48 V |
| 当前-测试 | 300 mA |
