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DMT10H072LDV-7

  •  DMT10H072LDV-7
  • image of FET、MOSFET 阵列 DMT10H072LDV-7
DMT10H072LDV-7
FET、MOSFET 阵列
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 6
-
卷带式 (TR)
100
1
: 100

2000

$0.3200

$640.0000

6000

$0.3000

$1,800.0000

10000

$0.2800

$2,800.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大1W (Ta)
漏源电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds228pF @ 50V
Rds On(最大)@Id、Vgs66mOhm @ 4.5A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs4.5nC @ 10V
Vgs(th)(最大值)@Id3V @ 250µA
供应商设备包PowerDI3333-8 (Type UXC)
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