| ： | G220P03D32 |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Goford Semiconductor |
| ： | MOSFET P+P-CH 3 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 5060 |
| ： | 1 |
1
$0.5900
$0.5900
10
$0.5100
$5.1000
100
$0.3500
$35.0000
500
$0.2700
$135.0000
1000
$0.2200
$220.0000
2000
$0.2000
$400.0000
5000
$0.1900
$950.0000
10000
$0.1800
$1,800.0000
25000
$0.1700
$4,250.0000
50000
$0.1700
$8,500.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerVDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 P-Channel |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 30W (Tc) |
| 漏源电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1305pF @ 15V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 22mOhm @ 3A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-DFN (3.15x3.05) Dual |
