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GSFAT0600

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GSFAT0600
单 FET、MOSFET
Good Ark Semiconductor
MOSFET, N-CH, S
-
卷带式 (TR)
15885
1
: 15885

1

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Good Ark Semiconductor
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱SOT-523
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C300mA (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
功耗(最大)150mW (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包SOT-523
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs0.44 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds50 pF @ 25 V
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