| ： | IAUC120N04S6N008ATMA1 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | IR (Infineon Technologies) |
| ： | MOSFET_(20V 40V |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
5000
$1.2300
$6,150.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | IR (Infineon Technologies) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 43A (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 0.8mOhm @ 60A, 10V |
| 功耗（最大） | 150W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3V @ 90µA |
| 供应商设备包 | PG-TDSON-8-43 |
| 年级 | Automotive |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 7V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 40 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 110 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 7150 pF @ 25 V |
| 资质 | AEC-Q101 |
