| ： | IPD35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | IR (Infineon Technologies) |
| ： | MOSFET_(75V 120 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
2500
$0.6800
$1,700.0000
5000
$0.6500
$3,250.0000
12500
$0.6200
$7,750.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | IR (Infineon Technologies) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 24mOhm @ 35A, 10V |
| 功耗（最大） | 71W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.4V @ 39µA |
| 供应商设备包 | PG-TO252-3-11 |
| 年级 | Automotive |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 39 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2700 pF @ 25 V |
| 资质 | AEC-Q101 |
