| ： | IPP076N15N5XKSA1 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | IR (Infineon Technologies) |
| ： | TRENCH >=100V |
| ： | - |
| ： | 管子 |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
500
$3.4000
$1,700.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | IR (Infineon Technologies) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-220-3 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 112A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 7.6mOhm @ 56A, 10V |
| 功耗（最大） | 214W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.6V @ 160µA |
| 供应商设备包 | PG-TO220-3-1 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 8V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 150 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 61 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 4700 pF @ 75 V |
