| ： | IRL40T209ATMA2 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | IR (Infineon Technologies) |
| ： | TRENCH <= 40V |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
2000
$1.3700
$2,740.0000
6000
$1.3200
$7,920.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | IR (Infineon Technologies) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerSFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 0.72mOhm @ 100A, 10V |
| 功耗（最大） | 500W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.4V @ 250µA |
| 供应商设备包 | PG-HSOF-8-1 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 40 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 269 nC @ 4.5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 16000 pF @ 20 V |
