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KFCAB21520L

  •  KFCAB21520L
  • image of FET、MOSFET 阵列 KFCAB21520L
KFCAB21520L
FET、MOSFET 阵列
Nuvoton Technology Corporation
DUAL NCH MOSFET
-
卷带式 (TR)
100
: 100

8000

$0.5500

$4,400.0000

16000

$0.5300

$8,480.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Nuvoton Technology Corporation
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态NOT_FOR_NEW_DESIGNS
包装/箱10-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel, Common Drain
工作温度150°C
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大540mW (Ta)
漏源电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C16A (Ta)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds5250pF @ 10V
Rds On(最大)@Id、Vgs2mOhm @ 8A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs38nC @ 4V
Vgs(th)(最大值)@Id1.4V @ 1.64mA
供应商设备包10-SMD
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