| ： | NVBLS0D8N08XTXG |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| ： | T10S 80V SG NCH |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
1
$6.9000
$6.9000
10
$5.9100
$59.1000
100
$4.9300
$493.0000
500
$4.3500
$2,175.0000
1000
$3.9100
$3,910.0000
2000
$3.6700
$7,340.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerSFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 457A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 0.79mOhm @ 80A, 10V |
| 功耗（最大） | 325W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3.6V @ 720µA |
| 供应商设备包 | 8-HPSOF |
| 年级 | Automotive |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 80 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 174 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 12920 pF @ 40 V |
| 资质 | AEC-Q101 |
