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NXH80T120L3Q0P3G

  •  NXH80T120L3Q0P3G
  • image of IGBT模块 NXH80T120L3Q0P3G
NXH80T120L3Q0P3G
IGBT模块
Sanyo Semiconductor/onsemi
PIM GENERATION3
-
托盘
100
1
: 100

1

$65.2800

$65.2800

24

$59.3500

$1,424.4000

96

$53.4100

$5,127.3600

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包装托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱Module
安装类型Chassis Mount
输入Standard
配置Three Level Inverter
工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic2.4V @ 15V, 80A
NTC热敏电阻Yes
供应商设备包20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT类型Trench Field Stop
集电极电流 (Ic)(最大)75 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200 V
功率 - 最大188 W
电流 - 集电极截止(最大)300 µA
输入电容 (Cies) @ Vce18150 pF @ 20 V
关闭
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