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NXV08H300DT1

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  • image of FET、MOSFET 阵列 NXV08H300DT1
NXV08H300DT1
FET、MOSFET 阵列
Sanyo Semiconductor/onsemi
APM17-MDC, MV7
-
管子
100
1
: 100

1

$67.9500

$67.9500

10

$64.5500

$645.5000

40

$62.8500

$2,514.0000

120

$56.4800

$6,777.6000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
安装类型Through Hole
配置4 N-Channel
工作温度175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)80V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds30150pF @ 40V
Rds On(最大)@Id、Vgs0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs502nC @ 12V
Vgs(th)(最大值)@Id4.6V @ 1mA
供应商设备包APM17-MDC
年级Automotive
资质AEC-Q101
关闭
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15920000498

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